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碳化硅纖維具有很高的比強度、比剛度，耐腐蝕、抗熱震、熱脹系數(shù)小、熱傳導系數(shù)大等優(yōu)點；同時還具有良好的抗氧化和高溫性能，其室溫性能可保持到1200℃。碳化硅纖維的制備方法有先驅體轉化法和化學氣相沉積(CVD)法兩種。先驅體轉化法于1975年首先由日本的關島教授研制成功，制備的纖維呈束狀，每束500根左右，每根纖維lOum左右。先驅體轉化法制備碳化硅纖維的工藝流程包括聚碳硅烷合成、聚碳硅烷紡絲、不熔化處理、燒結等階段。CVD法制備SiC纖維，是將基體絲連續(xù)通過玻璃管狀反應器，并在加熱到1200 - 1300℃的同時通人適量的氯硅烷與氫氣的混合反應氣體，反應氣體在熱絲上發(fā)生熱解反應生成SiC：CH3 SiC13+H2--SiC 0+3 HCI十并沉積在熱絲上形成帶有芯（絲）材的連續(xù)SiC纖維。制備SiC纖維所采用的基體絲有連續(xù)碳絲（直徑33肛m左右）和鎢絲（直徑12tim左右），制備的單絲直徑為100- 140Um。為了緩解SiC沉積所形成的表面損傷敏感性和改善復合材料的界面狀況，在制備SiC纖維的同時可對纖維表面進行不同的涂層處理。